| Предисловие редакторов | 5 |
| |
| Глава 1 |
| Получение вертикально ориентированных углеродных нанотрубок методом |
| плазмохимического осаждения из газовой фазы | 9 |
| |
| Введение | 9 |
| 1.1. Термодинамический анализ процессов в структуре |
 катализатор/подслой/подложка при выращивании углеродных |
| нанотрубок методом осаждения из газовой фазы | 10 |
| 1.2. Теоретические основы формирования каталитических центров |
| при термообработке металлических плёнок | 16 |
| 1.3. Исследование технологических режимов формирования каталитических |
| центров и роста углеродных нанотрубок методом плазмохимического |
| осаждения из газовой фазы | 25 |
| Заключение. | 45 |
| Литература | 47 |
| |
| Глава 2 |
| Методики нанодиагностики параметров вертикально ориентированных |
| углеродных нанотрубок на основе методов сканирующей зондовой |
| микроскопии | 51 |
| |
| Введение | 51 |
| 2.1. Экспериментальные образцы и оборудование | 52 |
| 2.2. Методика определения высоты массива вертикально ориентированных |
| углеродных нанотрубок | 53 |
| 2.3. Методика определения модуля Юнга и жёсткости на изгиб углеродных |
| нанотрубок | 56 |
| 2.4. Методика определения удельного сопротивления углеродных |
| нанотрубок | 62 |
| 2.5. Методика определения адгезии углеродных нанотрубок к подложке | 69 |
| Заключение | 74 |
| Литература | 74 |
| |
| Глава 3 |
| Ориентированные углеродные нанотрубки как перспективный материал |
| нанопьезотроники и наноэлектроники | 78 |
| |
| Введение | 78 |
| 3.1. Теоретические основы создания приборов и устройств |
| нанопьезотроники на основе ориентированных углеродных нанотрубок | 79 |
| 3.1.1. Деформация УНТ под действием локального внешнего |
| электрического поля | 80 |
| 3.1.2. Поляризация и накопление пьезоэлектрического заряда в УНТ | 88 |
| 3.1.3. Модель мемристорного эффекта в неравномерно |
| деформированной УНТ | 93 |
| 3.2. Исследование мемристорного эффекта в ориентированных УНТ |
| и структурах на их основе | 98 |
| Заключение | 110 |
| Литература | 112 |
| |
| Глава 4 |
| Формирование самоорганизующихся наноструктур AЗB5 методом |
| молекулярно-лучевой эпитаксии | 115 |
| |
| Введение | 115 |
| 4.1. Формирование наноструктур в системе GaAs-оксид | 116 |
| 4.2. Исследование процессов эпитаксиального роста GaAs |
| на поверхностях с различной кристаллографической ориентацией | 128 |
| 4.3. Исследование процессов капельной эпитаксии в системе |
| In/GaAs(001) | 139 |
| Литература | 149 |
| |
| Глава 5 |
| Импульсное лазерное осаждение нанокристаллических пленок ZnO | 154 |
| |
| Введение | 154 |
| 5.1. Исследование равномерности осаждения плёнок методом импульсного |
| лазерного осаждения | 156 |
| 5.2. Исследования режимов формирования нанокристаллических плёнок |
| ZnO методом импульсного лазерного осаждения | 165 |
| 5.3. Исследование стабильности зависимости удельного сопротивления |
| при термоциклировании нанокристаллических плёнок ZnO | 178 |
| 5.4. Применение нанокристаллических плёнок ZnO в наноэлектронике | 186 |
| Заключение | 192 |
| Литература | 193 |
| |
| Глава 6 |
| Профилирование поверхности подложек методом фокусированных |
| ионных пучков | 197 |
| |
| 6.1. Основы метода фокусированных ионных пучков | 197 |
| 6.2. Моделирование процессов наноразмерного профилирования |
| поверхности подложек методом фокусированных ионных пучков | 199 |
| 6.3. Исследование режимов наноразмерного профилирования поверхности |
| подложек методом фокусированных ионных пучков | 212 |
| 6.4. Применение фокусированных ионных пучков при создании элементов |
| наноэлектроники и наносистемной техники | 229 |
| Заключение | 236 |
| Литература | 237 |
| |
| Глава 7 |
| Исследование мемристорного эффекта в оксидных наноразмерных |
| структурах титана | 240 |
| |
| Введение | 240 |
| 7.1. Моделирование физико-химических процессов формирования оксидных |
| наноразмерных структур титана методом локального анодного |
| окисления | 241 |
| 7.1.1. Анализ процессов при локальном анодном окислении титана | 242 |
| 7.1.2. Моделирование процесса локального анодного окисления |
| титана | 253 |
| 7.2. Исследование закономерностей формирования оксидных |
| наноразмерных структур титана методом локального анодного |
| окисления | 263 |
| 7.3. Исследование фазового состава оксидных наноразмерных структур |
| титана, полученных методом локального анодного окисления | 274 |
| 7.4. Исследование мемристорного эффекта оксидных наноразмерных |
| структур титана | 280 |
| 7.5. Макет элемента резистивной памяти на основе мемристорных |
| структур ОНС титана | 287 |
| Заключение | 290 |
| Литература | 291 |
| |
| Глава 8 |
| Формирование атомарно-гладких поверхностей монокристаллических |
| подложек карбида кремния электронно-лучевой обработкой | 295 |
| |
| Введение | 295 |
| 8.1. Влияние поверхности подложек карбида кремния на формирование |
| микро- и наноструктур | 297 |
| 8.2. Технологическое оборудование электронно-лучевой обработки | 299 |
| 8.3. Физико-химические процессы формирования поверхности подложек |
| карбида кремния при электронно-лучевой обработке | 300 |
| 8.4. Исследование влияния электронно-лучевой обработки на параметры |
| поверхности подложек карбида кремния | 316 |
| 8.5. Разработка технологического процесса электронно-лучевого |
| формирования поверхности монокристаллических подложек карбида |
| кремния | 328 |
| Заключение | 329 |
| Литература | 330 |
| |
| Глава 9 |
| Исследование электропроводности полимерных нанокомпозитов |
| с углеродными наноструктурами | 336 |
| |
| Введение | 336 |
| 9.1. Моделирование зависимости электропроводности полимерных |
| нанокомпозитов от концентрации углеродных наноструктур | 342 |
| 9.2. Моделирование зависимости электропроводности полимерных |
| нанокомпозитов с графеном от температуры | 357 |
| Литература | 373 |
| |
| Глава 10 |
| Автоэмиссионные наноструктуры на основе плёнок графена на карбиде |
| кремния 377 |
| |
| Введение | 377 |
| 10.1. Моделирование автоэмиссионных наноструктур с катодами в форме |
| острия | 378 |
| 10.2. Исследование плёнок графена на карбиде кремния | 387 |
| 10.3. Исследование автоэмиссионных катодов на основе плёнок графена |
| на карбиде кремния | 393 |
| Заключение | 403 |
| Литература | 404 |
| |
| Глава 11 |
| Сверхбыстродействующие интегральные элементы с управляемой |
| пространственной передислокацией максимума плотности носителей |
| заряда в связанных квантовых областях | 411 |
| |
| Введение | 411 |
| 11.1. Интегральные логические элементы на основе туннельно-связанных |
| квантовых областей | 412 |
| 11.2. Интегральные коммутаторы с управляемой пространственной |
| передислокацией максимума плотности носителей заряда в квантовых |
| областях | 426 |
| 11.3. Сверхбыстродействующие инжекционные лазеры с управляемой |
| пространственной передислокацией максимумов плотности носителей |
| заряда в квантовых ямах | 436 |
| 11.4. Быстродействующие фотоприёмники интегральных систем оптической |
| коммутации | 454 |
| Заключение | 458 |
| Литература | 459 |
| |
| Глава 12 |
| Микро- и наномеханические гироскопы и акселерометры: принципы |
| построения и технологии изготовления | 462 |
| |
| 12.1. Разработка и исследование микромеханических |
| функционально-интегрированных микро- и наномеханических |
| гироскопов-акселерометров с несколькими осями чувствительности | 462 |
| 12.2. Технология изготовления экспериментальных образцов микро- |
| и наномеханических гироскопов и акселерометров | 479 |
| 12.2.1. Унифицированный технологический маршрут изготовления |
| инерциальных датчиков | 479 |
| 12.2.2. Формирование туннельно-эмиссионной структуры |
| наномеханического акселерометра методом фокусированных |
| ионных пучков | 482 |
| 12.2.3. Экспериментальные образцы микро- и наномеханических |
| гироскопов и акселерометров | 485 |
| 12.3. Устройства обработки сигналов ёмкостных преобразователей |
| микро- и наносистем | 488 |
| Заключение | 496 |
| Литература | 497 |
| |
| Сведения об авторах | 501 |
