КнигоПровод.Ru27.11.2024

/Наука и Техника/Физика

Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей — Покровский Я. Е., ред.
 Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей
Покровский Я. Е., ред.
год издания — 1972, кол-во страниц — 304, тираж — 4000, язык — русский, тип обложки — мягк., масса книги — 280 гр., издательство — Физматлит
серия — Современные проблемы физики
цена: 500.00 рубПоложить эту книгу в корзину
Сохранность книги — удовл.

Формат 84x108 1/32
ключевые слова — излучател, рекомбинац, галли, люминесцен, оптическ, русбрек, герман, селен, теллур, арсенид, антимонид, индий, экситон, фонон, полупроводник

В книгу включены переводы обзоров И. П. Варшни «Собственная излучательная рекомбинация в полупроводниках», Дж. Гарлика «Рекомбинационное излучение полупроводников» и статья А. Э. Юновича «Излучательная рекомбинация и оптические свойства фосфида галлия», в которых достаточно подробно изложены результаты современных исследований люминесценции различных полупроводников.

Подробно рассмотрено применение принципа детального равновесия для определения спектров и вероятности излучательной рекомбинации по спектрам фундаментального поглощения. Описаны различные методы возбуждения люминесценции. Дана классификация спектров рекомбинационного излучения и рассмотрена их физическая природа. Приведены многочисленные спектры рекомбинационного излучения полупроводников, заимствованные из оригинальных работ.

Книга рассчитана на широкий круг научных работников и инженеров, специализирующихся в области физики и применения полупроводников. Книга может служить также учебным и справочным пособием для преподавателей, аспирантов и студентов высших учебных заведений, желающих подробно ознакомиться с современным состоянием вопроса.

Табл. 13. Рис. 121. Библ. назв. 865

ОГЛАВЛЕНИЕ

От редактора7
 
I. Собственная излучательная рекомбинация в полупроводниках
(И. П. Варшни)9
 
§ 1. Введение9
§ 2. Оптические свойства полупроводников11
2.1. Обозначения оптических постоянных (11). 2.2. Поглощение
фотонов (12). 2.3. Эмпирические выражения для коэффициента
поглощения (18).
§ 3. Скорость излучательной рекомбинации20
3.1. Теория ван Русбрека — Шокли (20). 3.2. Более строгие
вычисления (27). 3.3. Полупроводниковые мазеры (28).
3.4. Квантовый выход (31).
§ 4. Методы возбуждения и исследования излучательной рекомбинации34
§ 5. Основные литературные источники37
§ 6. Основные замечания относительно представленных результатов38
§ 7. Моноатомные полупроводники43
7.1. Алмаз (43). 7.2. Кремний (49). 7.3. Германий (59).
7.4. Аморфный селен (71). 7.5. Гексагональный селен (74).
7.6. Теллур (76).
§ 8. Полупроводниковые соединения AIII-BV80
8.1. Фосфид галлия (80). 8.2. Арсенид галлия (85).
8.3. Антимонид галлия (95). 8.4. Фосфид индия (98). 8.5. Арсенид
индия (100). 8.6. Антимонид индия (104).
§ 9. Обсуждение и сопоставление приведённых данных109
Литература111
 
II. Рекомбинационное излучение полупроводников
(Дж. Гарлик)125
 
§ 1. Введение126
1.1. Исторический обзор (126). 1.2. Краткое описание процессов,
приводящих к излучательной рекомбинации (127). 1.3. Перечень
веществ, рекомбинационное излучение которых будет рассмотрено
(128).
§ 2. Теоретическое рассмотрение некоторых механизмов
рекомбинационного излучения129
2.1. Рекомбинация электронов и дырок при межзонных переходах
(119). 2.2, Образование экситонов и рекомбинацнонное излучение
(137). 2.3. «Краевое» излучение (139). 2.4. Рекомбинация
с участием дефектов и примесей (140) 2.5. Методы возбуждения
рекомбинационного излучения (147).
§ 3. Экспериментальное исследование рекомбинационного излучения162
3.1. Моноатомные полупроводники и карбид кремния (162).
3.2. Рекомбинационное излучение некоторых соединений типа AIII-BV
(180). 3.3. Рекомбинационное излучение соединений типа AII-BVI
(190). 3.4. Рекомбинационное излучение солей свинца и родственных
соединений (206).
§ 4. Обсуждение некоторых текущих вопросов212
4.1. Лазерный режим и стимулированное излучение
в полупроводниках (212). 4.2. Проблема получения эмиссии
в полупроводниках с широкой запрещённой зоной при инжекционном
возбуждении (213).
Литература217
 
III. Излучательная рекомбинация и оптические свойства
фосфида галлия (А. Э. Юнович)224
 
§ 1. Введение224
§ 2. Энергетический спектр фосфида галлия226
2.1. Общий вид собственного электронного спектра (226).
2.2. Электронный спектр на краях запрещённой зоны (231).
2.3. Собственные оптические свойства фосфида галлия (236).
2.4. Фононный спектр фосфида галлия (240).
§ 3. Излучательная рекомбинация свободного экситона в GaP243
3.1. Теоретические соображения (243). 3.2. Экспериментальные
данные (245).
§ 4. Излучательная рекомбинация с участием примесных сосостояний
в фосфиде галлия247
4.1. Классификация примесей (247). 4.2. Классификация механизмов
излучательной рекомбинации с участием одного примесного атома
(252). 4.3. Излучательная рекомбинация экситона, связанного
на нейтральном изоэлектронном центре (252).
§ 5. Межпримесная излучательная рекомбинация на донорно-акцепторных
парах269
5.1. Теоретические соображения (270). 5.2. Межпримесная
рекомбинация между донорами VI группы и акцепторами II группы
(277). 5.3. Рекомбинация на комплексах атомов кислорода и цинка
(или кадмия), занимающих ближайшие узлы в решётке (282).
5.4. Межпримесная рекомбинация между донорами VI группы
и акцепторами IV группы (288). 5.5. Межпримесная рекомбинация
между донорами IV группы и акцепторами IV и II группы (291).
5.6. Межпримесная рекомбинация в системах нейтральный центр
(или комплекс) — заряженный центр (294).
§ 6. Заключение296
Литература297

Книги на ту же тему

  1. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
  2. Оптические свойства полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра, Тауц Я., 1967
  3. Субмиллиметровая спектроскопия коллективных и связанных состояний носителей тока в полупроводниках, Мурзин В. Н., 1985
  4. Пространственная симметрия и оптические свойства твёрдых тел (комплект из 2 книг), Бирман Д., 1978
  5. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами, Шёлль Э., 1991
  6. Электронные состояния и оптические переходы в твёрдых телах, Бассани Ф., Пастори Парравичини Д., 1982
  7. Физика полупроводниковых соединений элементов III и V групп, Маделунг О., 1967
  8. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров, Фок М. В., 1964
  9. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов, Адирович Э. И., 1951
  10. Люминесценция кристаллов, Кюри Д., 1961
  11. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ред., 1973
  12. Индий, Федоров П. И., Акчурин Р. Х., 2000
  13. Поверхностные свойства германия и кремния, Боонстра А., 1970
  14. Квантовые процессы в полупроводниках, Ридли Б., 1986
  15. Теория экситонов, Нокс Р., 1966
  16. Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
  17. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
  18. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
  19. Электроны и фононы в ограниченных полупроводниках, Басс Ф. Г., Бочков В. С, Гуревич Ю. Г., 1984
  20. Новые методы полупроводниковой СВЧ-электроники. Эффект Ганна и его применение, 1968
  21. Точечные дефекты в полупроводниках. Теория, Ланно М., Бургуэн Ж., 1984
  22. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции, Волькенштейн Ф. Ф., 1987
  23. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
  24. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
© 1913—2013 КнигоПровод.Ruhttp://knigoprovod.com