Небольшая книжка директора Института физики твёрдого тела Чехословацкой Академии наук проф. Яна Тауца содержит очень сжатый систематический обзор современного состояния исследований оптических свойств полупроводников в видимой и ультрафиолетовой областях спектра.

Автор книги — крупный специалист по физике полупроводников — является пионером в постановке таких исследований: им лично выполнен целый ряд очень важных работ.

Для русского издания автор написал небольшое добавление, учитывающее результаты самых последних работ в этой области.

Книга рассчитана на физиков и инженеров, работающих в области изучения и использования полупроводников.

Подавляющее число публикуемых работ по физике полупроводников посвящено изучению их электронной зонной структуры и явлений переноса. Эта проблематика занимает безусловно центральное место.

Симптоматична при этом ясно выраженная в последнее время тенденция ставить исследуемые материалы в экстремальные условия опыта, используя для этого сильные электрические и магнитные поля, высокие давления и т. п. Это связано, в частности, со стремлением получить возможно более полную информацию о зонной структуре материала, в том числе вдали от экстремумов валентной зоны и зоны проводимости.

Как известно, именно особенности структуры энергетических зон в пространстве волнового вектора и величины межзонных промежутков в разных точках первой зоны Бриллюэна определяют большинство физических свойств полупроводников и других твёрдых тел.

Особенно много ценных сведений об энергетической структуре дают оптические исследования. В развитии этих исследований наблюдается та же тенденция. Всего несколько лет назад основное внимание уделялось изучению оптических свойств полупроводников вблизи края основной полосы поглощения (положение и тонкая структура края) и в области относительной прозрачности (дефекты, свободные носители заряда, фононы), соответствующей фотонам с энергиями обычно меньше 3 эв. Однако с 1960 г. положение изменилось. Число исследований полупроводников в глубине области собственного поглощения, где поглощение весьма велико, начало лавинообразно расти. С развитием соответствующей оптической аппаратуры область таких исследований удалось продвинуть к настоящему времени до 25 эв и даже более и практически сомкнуть её с областью мягких рентгеновских лучей.

Для целого ряда полупроводников получен обширный экспериментальный материал, касающийся межзонных переходов валентных электронов, влияния переходов из более глубоких зон и т. д., что позволило надёжно расшифровать зонную структуру в областях, далёких от экстремумов валентной зоны и зоны проводимости.

Предлагаемая вниманию читателя работа профессора Яна Тауца, директора Института физики твёрдого тела Чехословацкой Академии наук, содержит очень сжатый систематический обзор современного состояния исследований оптических свойств полупроводников в указанной области энергий фотонов. Профессор Тауц, крупный специалист по физике полупроводников, является пионером в постановке таких исследований и им лично выполнен целый ряд очень важных работ.

Для русского издания автор любезно согласился написать небольшое добавление, учитывающее результаты самых последних работ в этой области.

Нам кажется, что перевод этой работы на русский язык сыграет положительную роль не только потому, что даст в руки наших специалистов квалифицированно систематизированный и критический обзор зарубежных исследований по актуальному направлению физики полупроводников, но и обратит внимание физиков на необходимость более широкой постановки исследований зонной структуры оптическими методами.

ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА ПЕРЕВОДА
Проф. В. Жузе

Книги на ту же тему

1. Оптические процессы в полупроводниках, Панков Ж., 1973
2. Пространственная симметрия и оптические свойства твёрдых тел (комплект из 2 книг), Бирман Д., 1978
3. Электронные состояния и оптические переходы в твёрдых телах, Бассани Ф., Пастори Парравичини Д., 1982
4. Излучательная рекомбинация в полупроводниках: Сборник статей, Покровский Я. Е., ред., 1972
5. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров, Фок М. В., 1964
6. Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов, Адирович Э. И., 1951
7. Флуктуационные явления в полупроводниках, Ван-дер-Зил А., 1961
8. Экситонные процессы в слоистых кристаллах, Бродин М. С., Блонский И. В., 1986
9. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами, Шёлль Э., 1991
10. Арсенид галлия. Получение, свойства и применение, Кесаманлы Ф. П., Наследов Д. Н., ред., 1973
11. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках, Пожела Ю. К., 1977
12. Электрические эффекты в радиоспектроскопии: Электронный парамагнитный, двойной электронно-ядерный и параэлектрический резонансы, Глинчук М. Д., Грачёв В. Г., Дейген М. Ф., Ройцин А. Б., Суслин Л. А., 1981
13. Физико-химия поверхности полупроводников, Волькенштейн Ф. Ф., 1973
14. Неравновесные приповерхностные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах, Зуев В. А., Саченко А. В., Толпыго К. Б., 1977
15. Электронные процессы в некристаллических веществах, Мотт Н., Дэвис Э., 1974
16. Электронная теория неупорядоченных полупроводников, Бонч-Бруевич В. Л., Звягин И. П., Кайпер Р., Миронов А. Г., Эндерлайн Р., Эссер Б., 1981
17. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники. — 2-е изд., доп., Мартинес-Дуарт Д. М., Мартин-Палма Р. Д., Агулло-Руеда Ф., 2009